我们赢了！突破摩尔定律桎梏，中国研制出全球首款二维半导体芯片

一层薄到肉眼几乎看不见的材料，竟然撑起了全球半导体圈的热搜。

最新消息爆出，复旦大学刘开辉团队，在一个只有几毫米大的芯片上塞进了5900个晶体管，每个都是原子级别的二维材料堆叠出来的。

这玩意儿的速度、功耗、稳定性，一下子把老外的纪录甩在了后面。

国际科技圈直接炸了锅，因为之前国外最多只做过115个晶体管，还是勉强能用的水平，这次中国团队不仅数量翻了几十倍，还能长时间稳定运行，

等于一脚踢开了传统芯片工艺的天花板。

事情的主角刘开辉，1975年安徽人，学霸出身，早年中科大物理系一路读到博士，后来去美国斯坦福深造，专门钻研二维材料。

2009年他回国，进了复旦大学，实验室条件简陋，设备不全，经费也紧张，但硬是带着一帮学生从头摸索，死磕实验数据，论文一篇篇发出去，逐步在国际上站稳脚跟。

等到2015年，刘开辉团队已经小有规模，实验室设备升级，进口仪器都配齐了，研究方向也从石墨烯扩展到更多过渡金属硫化物，把原本只在论文里出现的材料，

做成了能用的场效应晶体管。

2018年左右，全球芯片圈还在为2纳米硅基工艺头疼——量产难度大，成本高，连台积电、英特尔都不敢说能搞定。

而复旦这边另辟蹊径，专攻二硫化钼这种新型半导体材料，迁移率高，开关速度快，堆叠方式也不一样——用范德华力粘合，避免了传统焊接的高温损伤。

到2022年，他们已经能集成上千个晶体管，在国际上属于赶超水平；到了2024年，“无极”芯片把晶体管数推到5900，还完成了32位处理器的模拟架构，

实验数据透明，论文里反复强调重复性，同行们想挑刺都找不到地方。

这次突破的本质，是把摩尔定律的瓶颈给侧面切开了。

摩尔定律说的是每隔两年，芯片上的晶体管数量翻倍，但物理极限已经逼近，2纳米以下量子效应乱入，功耗猛涨，硅基工艺越来越难。

二维材料不一样，天然只有一层原子厚，厚度固定在0.7纳米左右，不用纠结传统门长缩放，天然适合高密度堆叠。

复旦的“无极”芯片用二硫化钼做通道，氮化硼当绝缘层，栅极直接顶在原子层上，控制精度高到让工程师直呼“变态”。

工艺上更是花了大力气，不管是电子束光刻还是等离子刻蚀，精度都压到10纳米以内。堆叠材料时，用聚合物膜精准搬运，层间对齐误差小于一纳米。

整个过程说起来简单，实际团队得废掉无数片晶圆，一遍遍调参数，材料纯度要到99.99%，哪怕一个杂质都可能让电路短路。

到最后，“无极”芯片不光能在实验室跑数据，还兼容标准封装，能接外设，真真正正做到了实用级别。

这事儿最让人振奋的地方，是中国半导体产业的整体爆发。

过去几年大家都知道芯片卡脖子，老美、欧洲、日本、韩国各种联盟，荷兰ASML的光刻机说不卖就不卖，但国内没停下来，投资一年比一年多，技术一点点突破。

从中芯国际的7纳米，到华为麒麟芯片，步步逼近国际水平。二维材料这一块，门槛反而低——化学气相沉积炉国内就能造，不用再看别人脸色。

2024年以后，类似成果接连出现，中科院石墨烯晶体管、清华碳纳米管集成，形成了产业集群效应。

现在国产芯片不再是奢侈品，价格直接降了大半，国产手机用上，性价比拉满。

国外芯片联盟再怎么堵技术扩散，也挡不住中国团队一篇篇论文刷屏，《自然》杂志刊登后，引用率飙升，国际合作邀约不断。

总之，这一波操作让中国芯片产业从跟跑变成领跑，半导体版图正被重新绘制。未来几年，二维材料芯片量产几乎板上钉钉。

而“无极”芯片不是终点，后面还会有二维光电、存储等新方向冒头，中国半导体生态只会越来越壮。

这场胜利，说到底靠的是死磕科研、长期投入、团队执行力和国家资金支持。外部封锁再严，也挡不住中国人自己动手搞突破。科技发展路上，谁能坚持到最后，谁就有发言权。

未来全球芯片圈，中国的声音只会越来越响，技术自立的底气也会越来越足。